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碳化硅的外延工藝是整個碳化硅產(chǎn)業(yè)中的一種非常關(guān)鍵的工藝,由于現(xiàn)在所有的器件基本上都是在外延上實現(xiàn),所以外延的質(zhì)量對器件的性能是影響是非常大的,但是外延的質(zhì)量它又受到晶體和襯底。加工的影響,處在一個產(chǎn)業(yè)的中間環(huán)節(jié),對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。
碳化硅一般采用PVT方法,溫度高達2000多度,且加工周期比較長,產(chǎn)出比較低,因而碳化硅襯底的成本是非常高的。
在器件制備方面,由于材料的特殊性,器件過程的加工和硅不同的是,采用了高溫的工藝,包括高溫離子注入、高溫氧化以及高溫退火工藝。
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