在M3-PALS快慢場混合模式相位分析技術（簡稱M3測試技術）中，高頻電場的轉換能夠準確地測量zeta電位的平均值，但是電位分布分辨率較低；低頻電場的轉換可以給出更好的電位分布分辨率，但是易受到電滲的影響導致結果漂移；M3測試技術結合高頻、低頻電場轉換進行合并分析計算，既得到準確的平均zeta電位，又得到了準確的電位分布結果。

其分析能力甚至還能對多電位分布的樣品進行多峰電位分布結果的輸出，對各種納米材料、制劑的修飾、包覆、活化等工藝開發及配方調整提供強有力的指引，可以為企業減少配方開發時間，提高產品質量和聲譽。

NS-90Z Plus支持有機相微納米顆粒的Zeta電位測試，選用耐腐蝕高透光性的石英玻璃比色皿搭配耐腐蝕的PEEK（聚醚醚酮）和鈀材料的插入式電極。

該設計正負電極片之間的距離更短，以盡可能的低的電壓使通常導電性不佳的有機相的納米體系的Zeta電位分析也可以輕松的進行。其測量步驟與彎曲式U型毛細管樣品池的相同，靈敏度高，樣品之間可輕松快速切換且易于維護。

我們以NS-90Z Plus測試了某用戶抱怨的高電位但體系卻不穩定的高分子樣品。如下圖Zeta電位測試結果顯示，其之前送樣測試的該樣品雖然擁有很高的電位絕對值，但其電位分布離散度也非常大，且曾雙峰分布。

該結果暗示了該產品的設計理論上可以得到非常好的穩定體系，但當前的顆粒修飾加工工藝還需要進一步完善，例如可以調整批加工物料投放量、攪拌等分散條件、試劑比例、壓力、溫度、反應時間、pH值等工藝條件來提高修飾均一性，縮窄電位分布的寬度，避免跨越等電點附近的有害不帶電顆粒的存在。

在這個案例中，得益于NS-90Z Plus高精準的電位分布測試性能，發現了之前電位分析中難以識別到的少量影響產品質量的Zeta電位離散顆粒的分布信息，解答了用戶的困擾，使得其可以根據測試結果快速調整工藝參數，產品質量得以不斷改善。