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超發光二極管（SLD）

與激光二極管類似，超發光發光二極管基于電驅動的pn結，該pn結在正向偏置時會變為光學有源并在很寬的波長范圍內產生放大的自發發射。SLD的峰值波長和強度取決于活性物質的成分和注入電流的水平。SLD設計為對沿波導產生的自發發射具有高單程放大，但與激光二極管不同，SLD的反饋不足以實現激射作用。這是通過傾斜波導和抗反射涂層的小面的共同作用非常成功地實現的。

SLD是具有相當寬的光帶寬的光源。它們不同于光譜非常窄的激光器和光譜寬得多的白光源。該特性主要表現為光源的時間相干性較低（這是所發射的光波隨時間保持相位的能力有限）。但是，SLD可能表現出高度的空間相干性，這意味著它們可以有效地耦合到單模光纖中。一些應用利用SLD源的低時間相干性來實現成像技術中的高空間分辨率。相干長度是經常用于表征光源的時間相干的量。

一方面，SLD是經過優化以生成大量放大的自發發射（ASE）的半導體器件。為此，它們合并了高功率增益部分，其中以30 dB或更高的高增益因子放大了種子自發發射。另一方面，SLD缺乏光反饋，因此不會發生激光作用。通過使刻面相對于波導傾斜，可以抑制由于來自光學組件（例如連接器）的光向腔內的反向反射而產生的光反饋，并且可以通過減反射涂層進一步抑制這種反射。避免了諧振器模式的形成以及因此在光譜中和/或在光譜變窄方面的明顯結構。

規格：

-型號：SLD-1000-100-YY-25

-平均波長：1000納米

-帶寬半高：100納米

-輸出功率：25兆瓦

-max波長：955、1030納米

-頻譜傾角：1個D b

-工作電流：600mA