通常我們在選擇真空泵時多根據實際工況需要的真空度來選擇真空泵的類型，依據抽氣量來選擇真空泵的抽速的。當然還有其他因素影響真空泵的應用，普諾克真空科技比如說真空電子技術領域里還應考慮工藝環境的清潔情況，實際工藝過程以及泵浦里面的反應氣體和反應產物的顆粒。

無油真空泵應用較為廣泛的兩個領域有半導體以及LCD制造，用于無反應氣體抽出的場合有:上、下卸料室，轉移室，液晶注入，Color Filter等，用于有反應氣體抽出的場合有:離子注入，刻蝕，拋光，LPCVD, PECVD等。在CVD生產中要求真空泵抽出反應生成物和NF3，C2F6， HCl等清洗氣體。

一般工藝中的應用：

(1)N2清洗N2清洗的目的是稀釋真空泵內部的反應氣體;為泵的轉軸提供密封;防止真空泵排氣口滲入空氣及水分。N:清洗的氣體量可根據需要調整。

(2)配冷阱 冷阱通常是裝在真空泵的吸氣口及排氣口位置，目的是減少反應生成物滲入到泵的量，減輕真空泵的負擔;減輕廢氣處理的負擔。

(3)溫度控制 根據工藝過程反應生成物的不同，為防止其附著在泵內，對無油機械真空的排氣口加熱，或對上位泵實行溫度控制。

(4)在線清洗 在用LPCVD法制備氯化膜的過程中，會生出副產物氯化銨(NH4Cl) ,氯化銨能溶于水。利用這一特性，對單級立式無油機械真空泵可進行在線自動清洗，不必將泵拆離生產線就能用洗液做清洗工作。

CVD工藝中的應用

利用LPCVD工藝制備絕緣膜或半導體膜時，有機矽烷系統(TEOS)原料呈液體狀態，TEOS與反應副產物混合，形成凝膠狀而堵塞真空泵排氣口，這時在排氣口應加冷阱。

利用PECVD工藝制備絕緣膜時，TEOS的反應副產物以白色粉末狀通過真空泵，因此應選用非接觸型真空泵。清洗氣體使用NF3、 C2F6等與上述反應副產物結合，再形成另一種副產物，對真空泵有不良影響，此時可利用降低真空泵溫度的方法解決。

干蝕刻工藝中的應用

蝕刻工藝可分為鋁質金屬蝕刻、多晶矽類的蝕刻、氧化膜的蝕刻等，金屬類的蝕刻會產生大量反應副產物，對無油真空泵的負荷會很大。

多晶矽膜、氧化矽膜等的蝕刻使SF6等氣體，反應副產物較少，升華溫度較低，可以氣態形式排出泵外。鋁質金屬的蝕刻則使用三氯化硼等氯化氣體，會產生大量的四氯化鋁，升華溫度高，很容易附著在溫度低的部位，未發生反應的氣體又多半屬于腐蝕性較強的。在欽的蝕刻中常使用氟化系氣體，其特性類似于氯化系氣體。

鈦蝕刻生產中多用到氟、氯、溟化物系等腐蝕性較強的氣體，這些氣體與水結合變成強酸，有強烈腐蝕性。因此，要求泵和管道材料具有高度耐腐蝕性。