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上海光機所在拓展鉍近紅外發光波段的研究中取得重要進展

研發快訊 2025年03月10日 11:28:07來源:中國科學院上海光學精密機械研究所 21096
摘要隨著大數據分析、機器學習等先進計算模型的快速發展,對通信帶寬的需求呈爆發式增長。然而,目前廣泛使用的鉺(Er)摻雜光纖由于其有限的放大帶寬,已難以滿足日益增長的高速通信需求。

  【儀表網 研發快訊】近日,中國科學院上海光學精密機械研究所先進激光與光電功能材料部特種玻璃與光纖研究中心胡麗麗研究員團隊在超寬帶近紅外光纖放大領域取得重要進展。該團隊通過配位調控工程,成功實現了鉍/鍺(Bi/Ge)共摻雜石英玻璃和光纖的超寬帶近紅外(NIR)熒光和放大,覆蓋了從S到U通信波段。相關成果以“Ultra-Broadband Emission in Bi/Ge Co-Doped Silica Glass and Fiber via Bismuth Coordination Engineering”為題發表于Advanced Optical Materials。
 
  隨著大數據分析、機器學習等先進計算模型的快速發展,對通信帶寬的需求呈爆發式增長。然而,目前廣泛使用的鉺(Er)摻雜光纖由于其有限的放大帶寬,已難以滿足日益增長的高速通信需求。鉍摻雜光纖因其在1350-1500 nm和1600-1800 nm范圍內的寬帶近紅外發光特性,成為極具潛力的替代材料。然而,鉍離子在1500-1600 nm波段的發光效率低,與現有通信設備兼容性差的問題,成為制約其應用的核心瓶頸。
 
  本研究通過高溫高壓還原處理技術,精準調控石英玻璃中鉍離子的局部配位環境,成功構建新型鉍近紅外發光中心。該發光中心的熒光峰位于1550 nm,半高全寬(FWHM)超過350 nm,有效填補了傳統鉍活性中心(BAC-Si與BAC-Ge)間的光譜間隙,實現S至U通信波段的連續覆蓋。通過高分辨透射電鏡(HRTEM)、擴展X射線吸收精細結構(EXAFS)及電子順磁共振(CW-EPR)等多維度表征,揭示了Ge-H/Ge-D鍵形成對鉍配位結構的調控機制,證實新型發光中心源于Ge-H(D)鍵對玻璃網絡的定向修飾。該研究不僅為鉍基發光材料的配位工程調控提供了新范式,更為下一代超寬帶光纖通信技術的發展提供了新的思路,有望推進下一代光纖通信技術的發展。
 
  相關研究得到了國家重點研發計劃(2020YFB1805902)的支持。
 
圖1通過配位工程調控的鉍鍺共摻石英玻璃和光纖光譜、增益以及配位環境變化

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